　　(一)专题1:支持半导体和集成电路产业发展

　　方向1:芯片产品量产前首轮流片项目。支持高端芯片、智能传感器关键核心产品研发及产业化，具体包括：采用28nm及以下制程流片的芯片;车规级芯片;AI芯片(28nm以上制程芯片的单核算力≥300GOPS);采用MEMS工艺量产的智能传感器芯片;在广东省内芯片代工产线流片的芯片。

　　方向2：高端电子元器件产业化项目。支持高端光芯片以及重点应用领域具备较大竞争优势的相关电子元器件，具体包括：硅基集成光芯片(光调制器或光探测器);化合物半导体激光器、探测器(以砷化镓、磷化铟、氮化镓为基底的光芯片及垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片，或其他边发射激光器);薄膜铌酸锂调制解调器;手机用BAW、SAW高频滤波器。

　　方向3:硅能源产业化项目。支持硅能源产业领域具备较大竞争优势的产品及相关材料，具体包括：隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池或组件;异质结(HJT)电池或组件;背接触(IBC、HBC、TBC、HPBC、ABC)电池或组件;铜铟镓锡CIGS薄膜太阳能电池;碲化镉CdTe薄膜太阳能电池;钙钛矿薄膜太阳能电池;单晶硅片。

　　(二)专题2:支持新型储能产业发展

　　方向4:新型储能产业化项目。支持新型储能产业领域具备较大竞争优势的储能电池及相关材料、设备、系统，具体包括：一是储能型锂离子电池及材料：储能型锂离子电池(含磷酸铁锂单体电池、新型锰基单体电池)、储能电池用正极材料(含磷酸铁锂正极材料、新型锰基正极材料)、储能电池用负极材料(含碳(石墨)负极材料、硅碳负极材料)、隔膜;二是固态电池、半固态电池及材料：半固态电池、固态电池、固态电解质;三是储能型钠离子电池及材料：储能型钠离子电池、钠离子电池负极材料;四是液流电池：全钒液流电池、锌基液流电池、铁铬液流电池;五是其他储能系统：飞轮储能系统、固体氧化物电解池。

2026年省级制造业当家重点任务保障专项资金（新一代信息技术和产业发展）支持电子信息产业方向项目入库